类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 电阻 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源 | 温度等级 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输出特性 | 无卤素 | 座位高度-最大 | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 输出极性 | 栅极至源极电压(Vgs) | 输入特性 | 接口IC类型 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 输出峰值电流限制-名 | 场效应管特性 | 漏源电阻 | 高边驱动器 | 最大rds | 栅源电压 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 电容-输入 | 电源电压1-最小值 | 电源电压1-最大值 | 高度 | 长度 | 宽度 | 器件厚度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSM6N55NU,LF(T | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 1W | Tape & Reel (TR) | 2014 | yes | 30V | 4A | 46 mΩ | 280pF | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK4098LS-YOC11 | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | onsemi | Bulk | 活跃 | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPIC2112P | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 14 | Bulk | 活跃 | PLASTIC, DIP-14 | IN-LINE | onsemi | PLASTIC/EPOXY | 5.89 | 25 V | MOTOROLA INC | 160 µs | Obsolete | 摩托罗拉半导体产品 | RECTANGULAR | DIP | 180 µs | MPIC2112P | 无 | 125 °C | 未说明 | 15 V | -40 °C | DIP14,.3 | * | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.39.00.01 | MOSFET驱动器 | CMOS | DUAL | THROUGH-HOLE | 未说明 | 1 | 2.54 mm | unknown | R-PDIP-T14 | 不合格 | 15 V | AUTOMOTIVE | TOTEM-POLE | 4.69 mm | TRUE | 触发器 | 基于半桥的mosfet驱动器 | 0.5 A | YES | 10 V | 20 V | 18.86 mm | 7.62 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN63D1LV-7 | Diodes Incorporated | 数据表 | 45586 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 550mA Ta | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | e3 | 活跃 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 未说明 | 未说明 | 940mW | 2 N-Channel (Dual) | 2 Ω @ 500mA, 10V | 2.5V @ 1mA | 30pF @ 25V | 0.392nC @ 4.5V | 60V | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3704-1EX | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | onsemi | 活跃 | Bulk | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AO5804E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | 2880 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 6 | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 280mW | 280mW | 2 N-Channel (Dual) | 550m Ω @ 500mA, 4.5V | 1V @ 250μA | 45pF @ 10V | 1nC @ 4.5V | 20V | 500mA | 8V | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO330N02KGFUMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 19000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | SILICON | 2 | 13.4 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2008 | OptiMOS™ | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 1.4W | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | BSO330N02 | 8 | 不合格 | 增强型MOSFET | 2.5W | 7.4 ns | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 30m Ω @ 6.5A, 4.5V | 1.2V @ 20μA | 730pF @ 10V | 4.9nC @ 4.5V | 16.8ns | 20V | 2.8 ns | 5.4A | 12V | 0.03Ohm | 19 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTHD5903T1G | ON Semiconductor | 数据表 | 77 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | 8 | 4.535924g | SILICON | 25 ns | 2.2A | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin (Sn) | 逻辑电平兼容 | -20V | 1.1W | C 弯管 | 260 | unknown | -2.2A | 40 | NTHD5903 | 8 | 不合格 | 增强型MOSFET | 1.1W | 2 P-Channel (Dual) | SWITCHING | 155m Ω @ 2.2A, 4.5V | 600mV @ 250μA | 7.4nC @ 4.5V | 35ns | 20V | 35 ns | 3A | 12V | 0.155Ohm | -20V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 6.35mm | 6.35mm | 6.35mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSM180D12P2C101 | ROHM Semiconductor | 数据表 | 10 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 25 Weeks | Screw | Module | 10 | 204A Tc | 2 | -40°C~150°C TJ | Bulk | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.13kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | not_compliant | 未说明 | R-XUFM-X8 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 1 | 增强型MOSFET | ISOLATED | 1130W | 2 N-Channel (Half Bridge) | SWITCHING | 4V @ 35.2mA | 23000pF @ 10V | 1200V 1.2kV | 180A | 2.7V | 22V | 360A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Silicon Carbide (SiC) | 2.7 V | 21.1mm | 122mm | 45.6mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7380QTRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 8-SO | 3.6A | 2 | 41 ns | Cut Tape (CT) | 2014 | HEXFET® | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | 2W | IRF7380QPBF | 2W | 9 ns | 2W | 2 N-Channel (Dual) | 73mOhm @ 2.2A, 10V | 4V @ 250μA | 660pF @ 25V | 23nC @ 10V | 10ns | 80V | 17 ns | 3.6A | 20V | 660pF | 逻辑电平门 | 73mOhm | 73 mΩ | 1.4986mm | 4.9784mm | 3.9878mm | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AON6996 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | 7425 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerSMD, Flat Leads | 8-DFN-EP (5x6) | 50A 60A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | 3.1W | 3.1W | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 5.2mOhm @ 20A, 10V | 2.2V @ 250μA | 820pF @ 15V | 13nC @ 10V | 30V | 60A | 820pF | Standard | 5.2 mΩ | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8K4TB1 | ROHM Semiconductor | 数据表 | 200 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 8-SOP | 9A | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 2W | *K4 | 2W | 2 N-Channel (Dual) | 17mOhm @ 9A, 10V | 2.5V @ 1mA | 1190pF @ 10V | 21nC @ 5V | 30V | 9A | 1.19nF | 逻辑电平门 | 17 mΩ | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD87503Q3ET | Texas Instruments | 数据表 | 874 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | YES | 8 | SILICON | 10A Ta | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | NexFET™ | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 无铅 | 260 | 未说明 | CSD87503 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | 15.6W | 2 N-Channel (Dual) Common Source | SWITCHING | 2.1V @ 250μA | 1020pF @ 15V | 17.4nC @ 4.5V | 30V | 10A | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 13.5mOhm | 194 pF | 3.3mm | 3.3mm | 1mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTQD4154ZR2 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | SILICON | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 20V | 1.52W | 鸥翼 | not_compliant | 7.5A | NTQD4154Z | 8 | 不合格 | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 增强型MOSFET | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 19m Ω @ 7.5A, 4.5V | 1.5V @ 250μA | 1485pF @ 16V | 21.5nC @ 4.5V | 20V | 7.5A | 0.019Ohm | 30A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF5810TR | Infineon Technologies | 数据表 | 2426 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 6-TSOP | 2.9A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2003 | HEXFET® | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | -20V | 960mW | -2.9A | 960mW | 2 P-Channel (Dual) | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 650pF @ 16V | 9.6nC @ 4.5V | 14ns | 20V | 2.9A | 650pF | 逻辑电平门 | 90 mΩ | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8K12TB1 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 2W | 未说明 | 未说明 | 2W | 2 N-Channel (Dual) | 42m Ω @ 5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 250pF @ 10V | 4nC @ 5V | 30V | 5A | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSM180D12P3C007 | ROHM Semiconductor | 数据表 | 10 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 25 Weeks | 表面贴装 | Module | NO | 180A Tc | 2 | 175°C TJ | Bulk | 活跃 | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | 880W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | not_compliant | 未说明 | R-XUFM-X10 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 5.6V @ 50mA | 900pF @ 10V | 1200V 1.2kV | 180A | 360A | 1200V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Silicon Carbide (SiC) | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDW2504P | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8-TSSOP | 3.8A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2002 | PowerTrench® | Obsolete | 1 (Unlimited) | 600mW | 2 P-Channel (Dual) | 43mOhm @ 3.8A, 4.5V | 1.5V @ 250μA | 1030pF @ 10V | 16nC @ 4.5V | 20V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ECH8659-TL-H | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | 8 | 43 ns | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2008 | e6 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | 24mOhm | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 1.5W | 8 | Dual | 1.3W | 10 ns | 2 N-Channel (Dual) | 24m Ω @ 3.5A, 10V | 无卤素 | 710pF @ 10V | 11.8nC @ 10V | 25ns | 30V | 25 ns | 7A | 20V | 30V | 逻辑电平门 | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2100UFU-7 | Diodes Incorporated | 数据表 | 27000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-UFDFN Exposed Pad | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2004 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 900mW | 未说明 | 未说明 | 900mW | 2 P-Channel (Dual) | 38m Ω @ 3.5A, 10V | 1.4V @ 250μA | 906pF @ 10V | 21.4nC @ 10V | 20V | 5.7A | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AO6801A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | 200 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-74, SOT-457 | 6 | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1.15W | 1.15W | 2 P-Channel (Dual) | 115m Ω @ 2.3A, 10V | 1.4V @ 250μA | 315pF @ 15V | 7nC @ 10V | 30V | 2.3A | 12V | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
QS8J1TR | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 52 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | 8 | SILICON | 2 | 390 ns | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2008 | e2 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 锡铜 | 1.25W | 260 | 10 | *J1 | 8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 1.5W | 12 ns | 2 P-Channel (Dual) | SWITCHING | 29m Ω @ 4.5A, 4.5V | 1V @ 1mA | 2450pF @ 6V | 31nC @ 4.5V | 75ns | 12V | 215 ns | 4.5A | 10V | 0.029Ohm | -12V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT2092R-EL-E | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | SILICON | 2 | 50 ns | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2W | 鸥翼 | 260 | 20 | 8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 15 ns | 3W | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 16m Ω @ 5.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 1400pF @ 10V | 22nC @ 10V | 17ns | 30V | 9 ns | 11A | 20V | 0.025Ohm | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDQ7236AS | ON Semiconductor | 数据表 | 4520 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 14-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 14 | 338mg | 14A 11A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | PowerTrench® | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1.1W | Dual | 1.8W | 1.3W 1.1W | 2 N-Channel (Dual) | 8.7m Ω @ 14A, 10V | 3V @ 250μA | 920pF @ 15V | 24nC @ 15V | 11A | 30V | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDW9926NZ | ON Semiconductor | 数据表 | 26066 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8-TSSOP | 4.5A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | PowerTrench® | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1.1W | 2 N-Channel (Dual) | 32mOhm @ 4.5A, 4.5V | 1.5V @ 250μA | 600pF @ 10V | 8nC @ 4.5V | 20V | 逻辑电平门 |
SSM6N55NU,LF(T
Toshiba
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2SK4098LS-YOC11
onsemi
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MPIC2112P
onsemi
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMN63D1LV-7
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
3.089522
2SK3704-1EX
onsemi
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AO5804E
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BSO330N02KGFUMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTHD5903T1G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BSM180D12P2C101
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IRF7380QTRPBF
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AON6996
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2.999792
SH8K4TB1
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
CSD87503Q3ET
Texas Instruments
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
18.871857
NTQD4154ZR2
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IRF5810TR
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SH8K12TB1
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2.533495
BSM180D12P3C007
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDW2504P
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
ECH8659-TL-H
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMP2100UFU-7
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
5.473149
AO6801A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
QS8J1TR
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
HAT2092R-EL-E
Renesas Electronics America
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDQ7236AS
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDW9926NZ
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
3.787942
